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華測鐵電分析儀(yi) 國產(chan) 可定製
華測鐵電分析儀(yi) 國產(chan) 可定製應用領域:
鐵電存儲(chu) 器的生產(chan)
生產(chan) 過程中的質量控製,以便不會(hui) 影響到CMOS生產(chan) 過程
在MHz的操作速度下,單級電滯回線數據
優(you) 點:
生產(chan) 過程的工藝優(you) 化
在MHz範圍的時間影響測試
適用於(yu) 2T-2C 設計和1T-1C設計
從(cong) 模擬測試數據得出內(nei) 存窗口信息
客戶可定製測試環境
升級服務
客戶支持
程序功能:
可以在單一器件上進行電滯回線、PUND脈衝(chong) 測試等測試過程。
上升時間Z低可實現1μm,自定義(yi) 的測試脈衝(chong) 可以用於(yu) 測試不同類型的失效機製。預極化脈衝(chong) 參數可以在測試序列裏單獨設置。
可以使用Access Time程序進行相同脈衝(chong) 強度下不同幅值相同脈衝(chong) 寬度或相同脈衝(chong) 幅值不同脈衝(chong) 寬度的測試。
這些測試是基於(yu) 技術:原位寄生電容補償(chang) 。
特點:
FeRAM測試儀(yi) 是用來記錄測試單元電滯回線的,測試儀(yi) 生成所需要的時間。
如果芯片的布局發生變化,可以自動獲取材料特性較大的陣列。這種情況下,測試儀(yi) 是用一個(ge) 開關(guan) 盒和一個(ge) 探針台工作的。軟件可以自動調整設置的參數。
參數的統計評價(jia) 是通過aixPlorer完成的。
FeRAM測試儀(yi) 的優(you) 點就是可以使重要信息流程化,從(cong) 而提高產(chan) 量,降低了成本,從(cong) 而減少了產(chan) 品上市的時間。相關(guan) 的數字結果和模擬實驗提供了重要信息。
FeRAM測試儀(yi) 擁有高分辨測量和速度到微秒的測量功能。
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