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●Huace-600高溫四探針測量係統，該係統可以測量矽、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定矽外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻 以及測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻，該設備按照單晶矽物理測試方法標準並參考美國A.S.T.M 標準而設計的。

●采用由四端測量方法測試電阻率係統與(yu) 高溫試驗箱為(wei) 一體(ti) 的的高溫測試係統，滿足半導體(ti) 及導體(ti) 材料因溫度變化對電阻值變化的 測量要求，通以在高溫 、真空、氣氛的條件下測量導電材料電阻和電阻率，可以分析被測樣的電阻和電阻率隨溫度、 時間變化的曲 線． 目前主要針對圓片、方塊、長條等樣品進行測試，可以廣泛用於(yu) 碳係導電材料、 金屬係導電材料、 金屬氧化物係導電材料、結 構型高分子導電材料、複合導電材料等材料的電阻率測量。 過測控軟件可以顯示出溫度與(yu) 電阻，電阻率，電導率數據的變化曲 線。