華測試驗儀器有限公司靜電放電發生器簡單說明

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靜電放電（即ESD）是大家熟知的電磁兼容問題，它可引起電子設備失靈或使其損壞。對靜電放電敏感的元件被稱為(wei) 靜電放電敏感元件（ESDS）。

　　如果一個(ge) 元件的兩(liang) 個(ge) 針腳或多針腳之間的電壓超過元件介質的擊穿強度，就會(hui) 對元件造成損壞。這是MOS器件出現故障zui主要的原因。氧化層越薄，則元件對靜電放電的敏感性也越大。故障通常表現為(wei) 元件本身對電源有一定阻值的短路現象。對於(yu) 雙極性元件，損壞一般發生在薄氧化層隔開的已進行金屬噴鍍的有源半導體(ti) 區域，因此會(hui) 產(chan) 生泄漏嚴(yan) 重的路徑。

　　另一種故障是由於(yu) 節點的溫度超過半導體(ti) 矽的熔點（1415℃）時所引起的。靜電放電脈衝(chong) 的能量可以產(chan) 生局部地方發熱，因此出現這種機理的故障。即使電壓低於(yu) 介質的擊穿電壓，也會(hui) 發生這種故障。一個(ge) 典型的例子是，NPN型三極管發射極與(yu) 基極間的擊穿會(hui) 使電流增益急劇降低。

　　器件受到靜電放電的影響後，也可能不立即出現功能性的損壞。這些受到潛在損壞的元件通常被稱為(wei) “跛腳”，一旦加以使用，將會(hui) 對以後發生的靜電放電或傳(chuan) 導性瞬態表現出大的敏感性。

　　人體(ti) 有感覺的靜電放電電壓在3000 — 5000V之間，然而，元件發生損壞時的電壓僅(jin) 幾百伏。

　　由於(yu) 新技術的發展導致元件對靜電放電的損壞越來越敏感。靜電放電造成的損失每年可達到幾百萬(wan) 美元以上。因此，許多大型的元件和設備製造廠引進專(zhuan) 業(ye) 技術以減小生產(chan) 環境中的靜電積累，以提高產(chan) 品合格率和可靠性。

    靜電放電發生器就是基於(yu) 此而設計產(chan) 生的。