表麵電位衰減測試係統
產(chan) 品介紹
本表麵電位衰減測試係統是一款麵向材料電學特性研究的高精度、多功能分析設備,專(zhuan) 為(wei) 評估介質材料表麵電荷動態衰減行為(wei) 及陷阱能級分布而設計。係統集高壓極化、精準溫控、快速信號采集及智能化分析於(yu) 一體(ti) ,支持針、柵、板三種電極配置,可模擬不同溫濕度環境下的材料電荷動態響應,為(wei) 絕緣材料、功能薄膜、電子器件等領域的研發與(yu) 質量控製提供關(guan) 鍵數據支持。
表麵電位衰減是通過電暈放電給絕緣材料表麵進行充電,充電過程中電暈中的電荷會(hui) 進入材料內(nei) 部。基於(yu) 陷阱理論,這些空間電荷會(hui) 被材料內(nei) 部的陷阱所捕獲形成表麵電位。材料另一麵與(yu) 地電極相連,在撤去外加電壓後電荷逐漸脫陷從(cong) 而形成電位衰減過程。電位的衰減主要是由於(yu) 充電過程中的入陷電荷通過電荷輸運流入地電極形成的。
係統基於(yu) 表麵電荷動態衰減法,通過以下步驟實現材料陷阱特性分析:
① 高壓極化:施加±30 kV電壓使樣品表麵帶電,形成初始電位;
② 環境模擬:加熱台精確控溫(±0.2℃),電極箱調節濕度,模擬實際工況;
③ 電位監測:極化結束後,實時采集表麵電位衰減信號(精度1 V,頻率>1 Hz),記錄電位-時間曲線;
④ 數據分析:內(nei) 置算法解析衰減速率、陷阱深度及密度分布,量化材料電荷存儲(chu) 與(yu) 遷移特性。
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