高溫四探針綜合測試係統的符合標準與應用

高溫四探針綜合測試係統（包含薄膜，塊體(ti) 功能）是為(wei) 了方便的研究在高溫條件下的半導體(ti) 的導電，該係統可以實現在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量矽、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。

高溫四探針綜合測試係統符合的標準：

1、符合GB/T 1551-2009《矽單晶電阻率測定方法》

2、符合GB/T 1552-1995《矽、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》

最後我們(men) 來了解一下高溫四探針綜合測試係統的應用：

1、測試矽類半導體(ti) 、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻；

2、可測柔性材料導電薄膜電阻率/方阻；

3、金屬塗層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）電阻率/方阻；

4、納米塗層等半導體(ti) 材料的電阻率/方阻；

5、電阻器體(ti) 電阻、金屬導體(ti) 的低、中值電阻以及開關(guan) 類接觸電阻進行測量；

6、可測試電池極片等箔上塗層電阻率方阻。