壓電材料介紹

的鐵電材料都同時具備鐵電性和壓電性。鐵電性是指在一定溫度範圍內(nei) 材料會(hui) 產(chan) 生自發極化。由於(yu) 鐵電體(ti) 晶格中的正負電荷中心不重合，因此即使沒有外加電場，也能產(chan) 生電偶極矩，並且其自發極化可以在外電場作用下改變方向，如1a。當溫度高於(yu) 某一臨(lin) 界值時，其晶格結構發生改變，正負電荷中心重合，自發極化消失，這一溫度臨(lin) 界值稱為(wei) 居裏溫度(Tc)。壓電性是實現機械能－電能相互轉換的一種性質。若在某一方向上給材料施加外力使材料發生形變，其內(nei) 部會(hui) 發生極化並在表麵產(chan) 生電荷，這就是壓電效應;相反，若給材料施加電場則材料會(hui) 發生形變而產(chan) 生機械力，這就是逆壓電效應，如圖。的鐵電材料都具備上述2種特性，這是構建機電係統的材料基礎之一。隨著器件微型化要求的逐步提高，傳(chuan) 統的壓電塊體(ti) 正逐步向壓電薄膜過渡，特別是微機電係統(MicroElectromechanicalSys-tem，MEMS)的出現以及薄膜生長技術的完善，使壓電薄膜成為(wei) 主要的研究內(nei) 容，如圖。

並非的壓電材料都具備鐵電性，如壓電薄膜ZnO，AlN就不具備鐵電性。這兩(liang) 者有著近似的壓電，都在方向上表現出壓電性。一般來說AlN比ZnO有著大的優(you) 勢，首先AlN能夠好地和Si基的半導體(ti) 技術兼容。另外，AlN的能隙高達6eV，有著好的電絕緣性，而ZnO的能隙隻有3eV，並且Zn離子容易變價(jia) ，因此製備絕緣性好的ZnO非常困難。良好的直流導電性會(hui) 使材料在低頻下的介電損耗變大，基於(yu) 這類材料的傳(chuan) 感器和驅動器在10KHz以下工作時有很大的損耗。

表1列出了3種壓電薄膜的主要參數，其中e31，f和d33，f均為(wei) 壓電常數，分別代表極化強度P同應變、應力之間的關(guan) 係;ε33是電容率，tanδ是介電損耗;e31，f/ε0ε33是壓電薄膜應變時產(chan) 生的電壓;e231，f/ε0ε33是麵內(nei) 波的機電耦合係數;e233/(ε0ε33c3D3)≈d233，f·c3E3/ε0ε33是厚度波的機電耦合係數;e31，f/sqrt(ε0ε33tanδ)是信噪比;c3E3為(wei) 彈性常量。 

相對於(yu) AlN和ZnO來說(表1)，鐵電薄膜鋯鈦酸鉛Pb(ZrxTi1－x)O3(PZT)有著高的壓電常數，PZT是典型的鈣鈦礦結構，晶格取向、成分、晶粒尺寸以及應力邊界等都會(hui) 影響PZT薄膜的壓電。例如目前報導的PZT薄膜在準同型相界(MPB)附近<001>方向上的e31，f高達27C/m2，而隨機取向的PZT薄膜e31，f隻有7C/m2左右。壓電係數的提高對降低驅動電壓或者提高響應速度至關(guan) 重要。近年來的相關(guan) 研究大部分集中在晶格取向或者MPB對鐵電薄膜壓電的影響方麵。在Pb(ZrxTi1－x)O3薄膜中隨著Zr含量的增加，PZT晶格結構發生畸變，從(cong) 四方相(111)逐步向三方相(100)轉變，而當Zr摻雜量達到50%時出現MPB，壓電係數d和e達到大值。但是，PZT薄膜要應用到具體(ti) 器件中，除了需要MPB之外還要有合適的相變溫度。一般來說，低溫下PZT薄膜的壓電會(hui) 有所提高，但是低溫不僅(jin) 使器件對溫度產(chan) 生依賴，重要的是妨礙了壓電器件的實際應用。因此，目前在研究壓電材料獲得準同型相界的同時如何提高相變溫度也是研究重點之一。在準同型相界附近的PZT和PbYb1/2Nb1/2O3-PbTiO3薄膜的相轉變溫度都在360℃附近，BiMeO3-PbTiO3的相變溫度高一點。而報導的BiScO3-PbTiO336/64陶瓷壓電係數d33高達465pC/N並且相變溫度為(wei) 450℃。同陶瓷或者單晶相比，壓電薄膜的相變溫度略有差異(誤差在50℃左右)，因此塊體(ti) 材料的研究起著很好的引導作用。

壓電材料的應用十分廣泛，粗略地分為(wei) 振動能和超聲振動能－電能換能器，包括電聲換能器，水聲換能器和超聲換能器等，還有其它一些傳(chuan) 感器和驅動器應用，而驅動器和傳(chuan) 感器正是近年來出現的微機電係統MEMS的核心研究開發內(nei) 容。MEMS是微電子與(yu) 微機械的結合體(ti) ，是隨著半導體(ti) 集成電路微細加工技術和超精密機械加工技術的發展而發展起來的，有著高度集成化、微型化的特點，在眾(zhong) 多工業(ye) 領域中都有著廣泛的應用。

由於(yu) 壓電薄膜具有優(you) 異的壓電效應和逆壓電效應並且介電常數高、穩定性好，因此製備出來的微型傳(chuan) 感器和驅動器等壓電器件有眾(zhong) 多優(you) 勢:①在高頻共振體(ti) 係中，傳(chuan) 統的高頻靜電驅動器雖然有了很大的進展，但是這類器件不僅(jin) 要求發達的圖像成形技術以滿足小尺寸要求，同時還要克服容易受到外界環境的巨大影響的弱點，而壓電材料本身的諧振頻率就在MHz～GHz之間，並且有著很好的溫度穩定性，工藝製造相對簡單很多，

而且已經製備出了如掃描聲學顯微鏡和薄膜聲波諧振器(FBAR)等MEMS器件。②微型壓電傳(chuan) 感器除了必要的電荷或者電壓之外並不需要額外的動力，能耗很低並且具有寬廣的動態範圍和低噪音層。③壓電材料在很小的驅動電壓下就能產(chan) 生很大的振幅，幾乎沒有滯後現象，這意味著響應速度非常快，而其它的基於(yu) 電流的驅動設備如熱式或者磁式驅動器的反應較慢。④在微米量級上，由於(yu) 傳(chuan) 統電磁驅動器尺寸達不到要求，已經很難應用在MEMS上，而壓電傳(chuan) 感器卻有著小尺寸、高能量集成的優(you) 點，並且像靜電感應那樣，壓電傳(chuan) 感或者驅動隻需電接觸就能產(chan) 生電信號，在芯片中很容易處理這些電信號。