熱釋電表征

  熱釋電效應的強弱可用熱釋電係數來表示。在溫度變化∆T的情況下，如果晶體(ti) 自發極化強度改變了∆P，則∆P與(yu) ∆T間的關(guan) 係可用下式表示∆P=p∆T 

值範圍分別為(wei) i=1,2,3,4,5,6。由於(yu) 晶體(ti) 加熱時，要保持晶體(ti) 應變為(wei) 零的條件是不易實現的，所以在一般情況下測得的是自由熱釋電係數。

  反過來，對熱釋電晶體(ti) 絕熱施加電場時，其溫度將發生變化，這種效應稱為(wei) 逆熱釋電效應或電生熱效應。

  利用熱釋電效應可製成良好的紅外敏感元件。其對熱釋電材料的要求是：①能充分吸收入射的紅外線；②為(wei) 了使吸收的單位熱能對應大的溫度上升幅度，熱釋電材料體(ti) 比熱應小，且方便加工成微型或薄膜化元件；③跟溫度對應的表麵電荷變化大，即熱釋電係數p大，室溫下的戶值p大，T（居裏溫度）適當高時，熱釋電係數p變大（T低使工作溫度受到限製，且熱釋電係數p的溫度變化也大）；④與(yu) 表麵電荷變化相應的電容小，即材料的介電量小；⑤構成嗓聲源之一的介電損耗角正切tanδ小。