電壓擊穿試驗儀的設備參數及產品優勢

一、設備參數：

1.輸入電壓：AC 220V

2.設備功率：3kVA

3.高壓輸出：50kV(交流、直流）

4.電壓精度：<1.5%

5.升壓速度：200V/S~2000V/S(可設定)

6.電流輸出：60mA

7.電流精度：<1.5%

8.試驗方式：擊穿試驗、耐壓試驗、階梯試驗

9、耐壓時間：（可設定）

10.設備尺寸：650mm*500mm*1400mm

11.設備重量：40KG

二、設備優(you) 勢：

TVS瞬間抑製防護技術：

電壓擊穿試驗儀(yi) 大都采用的光耦隔離方式，但光耦與(yu) 隔離無非是提高儀(yi) 器的采集的抗幹擾處理，對於(yu) 電弧放電過程中的浪湧對控製係統的防護起不到任何作用。華測的TVS瞬間抑製防護技術，。

多級循環電壓采集技術：

材料擊穿後，瞬間放電速度約為(wei) 光速的1/5〜1/3,通用的方法為(wei) 壓降法進行采集擊穿電壓。即變壓器的初級電壓瞬間下降一定比率來判別材料是否擊穿。顯然記錄擊穿電壓值產(chan) 生偏差。而采用多級循環采集技術對擊穿後的電壓采集將解決(jue) 此難題。

低通濾波電流監測技術：

高壓壓放電過程中將產(chan) 生高頻信號。而無論是國產(chan) 與(yu) 電流采集傳(chuan) 感器，大都為(wei) 工頻電流傳(chuan) 感器。而采集過程中無法將高頻信號處理時，從(cong) 而造成檢測不準確。無論是采用磁通門或霍爾原理所設計的傳(chuan) 感器存在擊穿後瞬間輸出電壓或電流信號過大，從(cong) 而燒壞控製係統的采集部分。華測開發的低濾波電流采集傳(chuan) 感器將高頻雜波信號進行相應處理。同時華測開發的保護模塊來保證采集精度與(yu) 保護采集元件。

雙係統互鎖技術及隔離屏蔽技術：

采用雙係統互鎖技術應用於(yu) 電擊穿儀(yi) 器，華測生產(chan) 的電壓擊穿儀(yi) 器不僅(jin) 具備過壓、過流保護係統，它*的雙係統互鎖機製，當任何元器件出現問題或單係統出現故障時，將瞬間切斷高壓。技術，。

SPWM電子升壓技術：

目前設備大都采用SPWM電子升壓技術，這一技術具有升壓速度平穩，精度高。便於(yu) 維護等優(you) 點是調壓器*的。